IRLML6346TRPBF vs BSS308PEH6327XTSA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRLML6346TRPBF 제조: Infineon 및 BSS308PEH6327XTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IRLML6346TRPBF | BSS308PEH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.18 | $0.11 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | -2 A (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| 동작 접합 온도 | -55C to +150C | — |
| 패키지 | Micro3 / SOT-23 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | — |
| MSL 레벨 | 1 | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) |
| 트랜지스터 유형 | — | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| RDS(on) Max | — | 80 mΩ at VGS = -10 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 500 mW (Ta) |
| 동작 온도 범위 | — | -55 °C to +150 °C |
| 패키지 / 케이스 | — | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| 핀 수 | — | 3 |
| Qualification | — | AEC-Q101 Automotive |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Standard Reel Quantity | — | 3000 pcs |