IRLML6346TRPBF vs BSS308PEH6327XTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLML6346TRPBF par Infineon et BSS308PEH6327XTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLML6346TRPBF BSS308PEH6327XTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,18 $0,11
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) -2 A (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +150C —
Boîtier Micro3 / SOT-23 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET —
Niveau MSL 1 —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS P (small signal / small power MOSFET)
Type de transistor — P-Channel Enhancement Mode MOSFET
RDS(on) Max — 80 mΩ at VGS = -10 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD) — 500 mW (Ta)
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Boîtier / Format — PG-SOT23 (SOT-23-3)
Nombre de broches — 3
Qualification — AEC-Q101 Automotive
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Standard Reel Quantity — 3000 pcs

Fiches techniques et ressources

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