IRS2110STRPBF vs IR2110SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2110STRPBF von Infineon und IR2110SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2110STRPBF IR2110SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,42 $1,98
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (High-Side and Low-Side) —
Anzahl der Ausgänge 2 —
Ausgangstyp Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 500 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Source/Sink Output Current (typ.) 2.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay ton/toff (typ.) 30 ns / 30 ns —
Rise/Fall Time (typ.) 17 ns / 25 ns —
Logic Input Compatibility CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible) 3.3 V CMOS / LSTTL
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Shutdown Input Active-low, forces both outputs low —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Betriebstemperatur -40 C to +150 C —
Gehäuse 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 3 (168 hours) —
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)
Funktion — Half-bridge gate driver
Topologie — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

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