IRS2110STRPBF vs IR2110SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2110STRPBF par Infineon et IR2110SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2110STRPBF IR2110SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,42 $1,98
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (High-Side and Low-Side) —
Nombre de sorties 2 —
Type de sortie Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 500 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Source/Sink Output Current (typ.) 2.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay ton/toff (typ.) 30 ns / 30 ns —
Rise/Fall Time (typ.) 17 ns / 25 ns —
Logic Input Compatibility CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible) 3.3 V CMOS / LSTTL
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Shutdown Input Active-low, forces both outputs low —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Température de fonctionnement -40 C to +150 C —
Boîtier 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 3 (168 hours) —
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)
Fonction — Half-bridge gate driver
Topologie — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

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