IRS2110STRPBF vs IR2110SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2110STRPBF por Infineon e IR2110SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2110STRPBF IR2110SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,42 $1,98
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (High-Side and Low-Side) —
Número de saídas 2 —
Tipo de saída Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 500 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Source/Sink Output Current (typ.) 2.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay ton/toff (typ.) 30 ns / 30 ns —
Rise/Fall Time (typ.) 17 ns / 25 ns —
Logic Input Compatibility CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible) 3.3 V CMOS / LSTTL
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Shutdown Input Active-low, forces both outputs low —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Temperatura de operação -40 C to +150 C —
Encapsulamento 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel 16-pin SOIC (SO-16, DW suffix)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 3 (168 hours) —
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant Yes / Compliant (Pb-free PBF suffix)
Função — Half-bridge gate driver
Topologia — High-side and low-side referenced output channels
Number of Channels — 2 (1 high-side, 1 low-side)
Logic Type — Non-inverting
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 500 V
Gate Drive Supply Voltage (Vcc/VCC) — 10 V to 20 V
Peak Output Current (source/sink) — 2.0 A / 2.0 A
Typical Propagation Delay (ton/toff) — 94 ns / 94 ns
Rise/Fall Time (typical) — 25 ns / 17 ns
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes, both Vcc and VCC
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +125 C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

Fichas técnicas e recursos

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