IRS2112STRPBF vs IRS2110STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2112STRPBF von Infineon und IRS2110STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2112STRPBF IRS2110STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,88 $1,42
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
High-side Offset Voltage (max) 600 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range (VDD) 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible)
Undervoltage Lockout Both channels (VCC and VBS) Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Shutdown Input Yes (active-low) Active-low, forces both outputs low
Gehäuse 16-pin SOIC wide-body 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C —
MSL-Level 2 (1 year floor life) 3 (168 hours)
RoHS-Status Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (High-Side and Low-Side)
Anzahl der Ausgänge — 2
Ausgangstyp — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 500 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Source/Sink Output Current (typ.) — 2.5 A / 2.5 A
Propagation Delay ton/toff (typ.) — 30 ns / 30 ns
Rise/Fall Time (typ.) — 17 ns / 25 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Betriebstemperatur — -40 C to +150 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

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