IRS2112STRPBF vs IRS2110STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2112STRPBF por Infineon y IRS2110STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2112STRPBF IRS2110STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,88 $1,42
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
High-side Offset Voltage (max) 600 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range (VDD) 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible)
Undervoltage Lockout Both channels (VCC and VBS) Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Shutdown Input Yes (active-low) Active-low, forces both outputs low
Encapsulado 16-pin SOIC wide-body 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Nivel MSL 2 (1 year floor life) 3 (168 hours)
Estado RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (High-Side and Low-Side)
Número de salidas — 2
Tipo de salida — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 500 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Source/Sink Output Current (typ.) — 2.5 A / 2.5 A
Propagation Delay ton/toff (typ.) — 30 ns / 30 ns
Rise/Fall Time (typ.) — 17 ns / 25 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +150 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

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