IRS2112STRPBF vs IRS2110STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2112STRPBF par Infineon et IRS2110STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2112STRPBF IRS2110STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,88 $1,42
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
High-side Offset Voltage (max) 600 V —
Output Source Current (typ) 0.29 A —
Output Sink Current (typ) 0.6 A —
Gate Drive Supply Range (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply Range (VDD) 3.3 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V CMOS/TTL CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible)
Undervoltage Lockout Both channels (VCC and VBS) Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: propagation delay] —
dV/dt Immunity Yes (negative transient tolerant) —
Shutdown Input Yes (active-low) Active-low, forces both outputs low
Boîtier 16-pin SOIC wide-body 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 C to +125 C —
Niveau MSL 2 (1 year floor life) 3 (168 hours)
Statut RoHS Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Driver Configuration — Half-Bridge
Number of Drivers — 2 (High-Side and Low-Side)
Nombre de sorties — 2
Type de sortie — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 500 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Source/Sink Output Current (typ.) — 2.5 A / 2.5 A
Propagation Delay ton/toff (typ.) — 30 ns / 30 ns
Rise/Fall Time (typ.) — 17 ns / 25 ns
Bootstrap Diode — Integrated
Température de fonctionnement — -40 C to +150 C
Lead-Free / RoHS — Lead-Free, RoHS Compliant

Fiches techniques et ressources

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