IRS2153DPBF vs IRS2153DSTRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS2153DPBF von Infineon und IRS2153DSTRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS2153DPBF IRS2153DSTRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus NRND Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,78 $0,42
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Topologie Self-Oscillating (RC-timed) Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
Anzahl der Ausgänge 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
Betriebs-Sperrschichttemperatur -40C to +125C —
Gehäuse 8-Pin PDIP (through-hole) 8-pin SOIC
MSL-Level MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
RoHS-Status Compliant (Pb-free suffix) Compliant
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Montageart — Surface Mount
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

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