IRS2153DPBF vs IRS2153DSTRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS2153DPBF por Infineon y IRS2153DSTRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS2153DPBF IRS2153DSTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida NRND Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,78 $0,42
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Topología Self-Oscillating (RC-timed) Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
Número de salidas 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
Temperatura de unión de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado 8-Pin PDIP (through-hole) 8-pin SOIC
Nivel MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
Estado RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Tipo de montaje — Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

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