IRS2153DPBF vs IRS2153DSTRPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRS2153DPBF от Infineon и IRS2153DSTRPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр IRS2153DPBF IRS2153DSTRPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла NRND Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,78 $0,42
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Топология Self-Oscillating (RC-timed) Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
Количество выходов 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
Рабочая температура перехода -40C to +125C —
Корпус 8-Pin PDIP (through-hole) 8-pin SOIC
Уровень MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
Статус RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Тип монтажа — Surface Mount
Диапазон рабочих температур — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену