IRS2153DPBF vs IRS2153DSTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS2153DPBF por Infineon e IRS2153DSTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS2153DPBF IRS2153DSTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida NRND Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,78 $0,42
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Topologia Self-Oscillating (RC-timed) Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
Número de saídas 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
Temperatura de junção de operação -40C to +125C —
Encapsulamento 8-Pin PDIP (through-hole) 8-pin SOIC
Nível MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
Status RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Tipo de montagem — Surface Mount
Faixa de temperatura de operação — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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