IRS2153DPBF vs IRS2153DSTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2153DPBF par Infineon et IRS2153DSTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2153DPBF IRS2153DSTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie NRND Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,78 $0,42
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Topologie Self-Oscillating (RC-timed) Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator
Nombre de sorties 2 (High-Side, Low-Side) —
Offset Voltage (High-Side) 600 V (max) —
Output Current (Source, typ) 0.18 A —
Output Current (Sink, typ) 0.26 A —
Internal Oscillator Frequency [DATA_NEEDED: oscillator frequency range] —
Dead Time (typ) 0.5 us —
Half-Bridge Driver Propagation (typ) 1.1 us —
Bootstrap FET Integrated —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Current (VCC, typ) 0.5 mA —
Shutdown Input Yes (programmable) —
Température de jonction en fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 8-Pin PDIP (through-hole) 8-pin SOIC
Niveau MSL MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note) —
Qualification Level Industrial —
Statut RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
High-Side Floating Supply Absolute Max — 600 V
VDD Supply Voltage Range — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ.) — 0.18 A
Output Sink Current (typ.) — 0.26 A
Internal Propagation Delay (typ.) — 1.1 us
Integrated Bootstrap FET — Yes
Oscillator Type — RC-based, similar to CMOS 555 timer
Programmable Shutdown Pin — Yes
Type de montage — Surface Mount
Plage de température de fonctionnement — -40C to +125C
Technology — HVIC + latch-immune CMOS
Lead-Free — Yes

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