IS43QR16512B-062AABL vs MT40A512M16TB-062E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IS43QR16512B-062AABL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und MT40A512M16TB-062E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL ✓ Aktiv
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IS43QR16512B-062AABL MT40A512M16TB-062E
Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,10 $60,00
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit 8 Gbit
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Versorgungsspannung 1.2 V —
Datenrate 3200 MT/s 1600 MHz (DDR4-3200)
CAS-Latenz 22-22-22 —
tRCD 19 ns 19 ns
Gehäuse 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Betriebstemperatur 0°C to +95°C (case) —
RoHS Compliant —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Anzahl der Pins 96 —
Schnittstelle POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz —
Datenbusbreite 16 bit —
Supply Voltage - VDD/VDDQ — 1.2V ±60mV
Supply Voltage - VPP — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Betriebstemperaturbereich — 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT)
Eigenschaften — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
RoHS-Status — Compliant
REACH Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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