IS43QR16512B-062AABL vs MT40A512M16TB-062E 对比

详细并排对比 IS43QR16512B-062AABL 出自 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 和 MT40A512M16TB-062E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL ✓ 量产中
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ 量产中

规格对比

参数 IS43QR16512B-062AABL MT40A512M16TB-062E
品牌 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $8.10 $60.00
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit 8 Gbit
存储组织 512M x 16 512M x 16
电源电压 1.2 V —
数据速率 3200 MT/s 1600 MHz (DDR4-3200)
CAS 延迟 22-22-22 —
tRCD 19 ns 19 ns
封装 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
工作温度 0°C to +95°C (case) —
RoHS Compliant —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
引脚数 96 —
接口 POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz —
数据总线宽度 16 bit —
Supply Voltage - VDD/VDDQ — 1.2V ±60mV
Supply Voltage - VPP — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
工作温度范围 — 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT)
特性 — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
RoHS 状态 — Compliant
REACH Status — Compliant

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