IS43QR16512B-062AABL vs MT40A512M16TB-062E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IS43QR16512B-062AABL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и MT40A512M16TB-062E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL ✓ Активен
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IS43QR16512B-062AABL MT40A512M16TB-062E
Бренд ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,10 $60,00
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Размер памяти 8 Gbit 8 Gbit
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Напряжение питания 1.2 V —
Скорость передачи данных 3200 MT/s 1600 MHz (DDR4-3200)
Задержка CAS 22-22-22 —
tRCD 19 ns 19 ns
Корпус 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Рабочая температура 0°C to +95°C (case) —
RoHS Compliant —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Количество выводов 96 —
Интерфейс POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz —
Разрядность шины данных 16 bit —
Supply Voltage - VDD/VDDQ — 1.2V ±60mV
Supply Voltage - VPP — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Диапазон рабочих температур — 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT)
Особенности — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
Статус RoHS — Compliant
REACH Status — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену