IS43QR16512B-062AABL vs MT40A512M16TB-062E 比較

詳細な並列比較: IS43QR16512B-062AABL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc および MT40A512M16TB-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL ✓ 生産中
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IS43QR16512B-062AABL MT40A512M16TB-062E
ブランド ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $8.10 $60.00
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit 8 Gbit
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
電源電圧 1.2 V —
データレート 3200 MT/s 1600 MHz (DDR4-3200)
CASレイテンシ 22-22-22 —
tRCD 19 ns 19 ns
パッケージ 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
動作温度 0°C to +95°C (case) —
RoHS Compliant —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 96 —
インターフェース POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz —
データバス幅 16 bit —
Supply Voltage - VDD/VDDQ — 1.2V ±60mV
Supply Voltage - VPP — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
動作温度範囲 — 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT)
特長 — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
RoHS ステータス — Compliant
REACH Status — Compliant

データシート&リソース

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