IS43QR16512B-062AABL vs MT40A512M16TB-062E Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IS43QR16512B-062AABL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc e MT40A512M16TB-062E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI

IS43QR16512B-062AABL ✓ Ativo
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16TB-062E ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IS43QR16512B-062AABL MT40A512M16TB-062E
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $60,00
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit 8 Gbit
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Tensão de alimentação 1.2 V —
Taxa de dados 3200 MT/s 1600 MHz (DDR4-3200)
Latência CAS 22-22-22 —
tRCD 19 ns 19 ns
Encapsulamento 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Temperatura de operação 0°C to +95°C (case) —
RoHS Compliant —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 96 —
Interface POD (Pseudo Open Drain) Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz —
Largura do barramento de dados 16 bit —
Supply Voltage - VDD/VDDQ — 1.2V ±60mV
Supply Voltage - VPP — 2.5V, -125mV, +250mV
Refresh Time — 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C
Faixa de temperatura de operação — 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT)
Recursos — Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration
Status RoHS — Compliant
REACH Status — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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