IS43TR16256A-125KBL vs K4B4G1646D-BPH90 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256A-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und K4B4G1646D-BPH90 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ AktivSamsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | IS43TR16256A-125KBL | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $19,09 | $7,60 |
| Speichertyp | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Datenrate | 1600MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.5V ± 0.075V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.5V ± 0.075V | — |
| CAS-Latenz | 11 | Programmable up to 14 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 (with burst chop) |
| Gehäuse | 96-TWBGA (9x13mm) | 96FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Versorgungsspannung | — | 1.35V (DDR3L) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |