IS43TR16256A-125KBL vs K4B4G1646D-BPH90 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IS43TR16256A-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc et K4B4G1646D-BPH90 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ ActifSamsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IS43TR16256A-125KBL | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| Marque | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $19,09 | $7,60 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Débit de données | 1600MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.5V ± 0.075V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.5V ± 0.075V | — |
| Latence CAS | 11 | Programmable up to 14 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 (with burst chop) |
| Boîtier | 96-TWBGA (9x13mm) | 96FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.35V (DDR3L) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |