IS43TR16256A-125KBL vs K4B4G1646D-BPH90 Comparación
Comparación detallada lado a lado de IS43TR16256A-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc y K4B4G1646D-BPH90 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ ActivoSamsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IS43TR16256A-125KBL | K4B4G1646D-BPH90 |
|---|---|---|
| Marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $19,09 | $7,60 |
| Tipo de memoria | DDR3 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 1600MT/s | 2133 Mb/s per pin |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.5V ± 0.075V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.5V ± 0.075V | — |
| Latencia CAS | 11 | Programmable up to 14 |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8, 4 (with burst chop) |
| Encapsulado | 96-TWBGA (9x13mm) | 96FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +85°C |
| RoHS | Compliant | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 32M x 16 |
| Density | — | 4Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Tensión de alimentación | — | 1.35V (DDR3L) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |