IS43TR16256AL-125KBL vs H5AN8G4NCJR-XXC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und H5AN8G4NCJR-xxC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IS43TR16256AL-125KBL H5AN8G4NCJR-xxC
Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,60 $8,50
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) —
Schnittstelle Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
Versorgungsspannung 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.2V
Gehäuse 96-TWBGA (9x13mm) FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
Datenrate 1600 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals 96 —
Density — 8Gb
Speicherorganisation — x4 (H5AN8G4NCJR)
RoHS — Compliant
Halogenfrei — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

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