IS43TR16256AL-125KBL vs H5AN8G4NCJR-XXC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IS43TR16256AL-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc et H5AN8G4NCJR-xxC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IS43TR16256AL-125KBL H5AN8G4NCJR-xxC
Marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,60 $8,50
Type de mémoire SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 4Gbit (256M x 16) —
Interface Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
Tension d'alimentation 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.2V
Boîtier 96-TWBGA (9x13mm) FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
Débit de données 1600 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals 96 —
Density — 8Gb
Organisation de la mémoire — x4 (H5AN8G4NCJR)
RoHS — Compliant
Sans halogène — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

Fiches techniques et ressources

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