IS43TR16256AL-125KBL vs H5AN8G4NCJR-XXC Comparación

Comparación detallada lado a lado de IS43TR16256AL-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc y H5AN8G4NCJR-xxC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro IS43TR16256AL-125KBL H5AN8G4NCJR-xxC
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,60 $8,50
Tipo de memoria SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 4Gbit (256M x 16) —
Interfaz Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
Tensión de alimentación 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.2V
Encapsulado 96-TWBGA (9x13mm) FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
Velocidad de datos 1600 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals 96 —
Density — 8Gb
Organización de memoria — x4 (H5AN8G4NCJR)
RoHS — Compliant
Sin halógenos — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

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