IS43TR16256AL-125KBL vs H5AN8G4NCJR-XXC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IS43TR16256AL-125KBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc e H5AN8G4NCJR-xxC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Ativo
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IS43TR16256AL-125KBL H5AN8G4NCJR-xxC
Marca ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,60 $8,50
Tipo de memória SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 4Gbit (256M x 16) —
Interface Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
Tensão de alimentação 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.2V
Encapsulamento 96-TWBGA (9x13mm) FBGA
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação 0°C ~ 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
Taxa de dados 1600 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals 96 —
Density — 8Gb
Organização da memória — x4 (H5AN8G4NCJR)
RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

Fichas técnicas e recursos

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