IS43TR16256AL-125KBL vs H5AN8G4NCJR-XXC 비교

다음의 상세 나란히 비교: IS43TR16256AL-125KBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 및 H5AN8G4NCJR-xxC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IS43TR16256AL-125KBL H5AN8G4NCJR-xxC
브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $5.60 $8.50
메모리 유형 SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
메모리 크기 4Gbit (256M x 16) —
인터페이스 Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
공급 전압 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.2V
패키지 96-TWBGA (9x13mm) FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 0°C ~ 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
데이터 속도 1600 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals 96 —
Density — 8Gb
메모리 구성 — x4 (H5AN8G4NCJR)
RoHS — Compliant
할로겐 프리 — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

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