IS43TR16256AL-125KBL vs H5TC4G63CFR-H9A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und H5TC4G63CFR-H9A von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IS43TR16256AL-125KBL H5TC4G63CFR-H9A
Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $5,60 $6,50
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) —
Schnittstelle Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
Versorgungsspannung 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
Gehäuse 96-TWBGA (9x13mm) 96-ball TFBGA
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C —
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
Datenrate 1600 Mbps [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals 96 96
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Speicherorganisation — 256M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Package Shape — RECTANGULAR
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Halogenfrei — Yes
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern