IS43TR16256AL-125KBL vs H5TC4G63CFR-H9A 比較

詳細な並列比較: IS43TR16256AL-125KBL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc および H5TC4G63CFR-H9A メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ 生産中
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IS43TR16256AL-125KBL H5TC4G63CFR-H9A
ブランド ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.60 $6.50
メモリタイプ SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
メモリサイズ 4Gbit (256M x 16) —
インターフェース Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
電源電圧 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
パッケージ 96-TWBGA (9x13mm) 96-ball TFBGA
実装タイプ Surface Mount —
動作温度 0°C ~ 95°C —
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
データレート 1600 Mbps [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals 96 96
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
メモリ構成 — 256M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Package Shape — RECTANGULAR
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
ハロゲンフリー — Yes
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

データシート&リソース

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