IS43TR16256AL-125KBL vs H5TC4G63CFR-H9A Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IS43TR16256AL-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc et H5TC4G63CFR-H9A par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IS43TR16256AL-125KBL H5TC4G63CFR-H9A
Marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,60 $6,50
Type de mémoire SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4Gbit (256M x 16) —
Interface Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
Tension d'alimentation 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
Boîtier 96-TWBGA (9x13mm) 96-ball TFBGA
Type de montage Surface Mount —
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C —
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
Débit de données 1600 Mbps [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals 96 96
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Organisation de la mémoire — 256M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Package Shape — RECTANGULAR
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Sans halogène — Yes
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

Fiches techniques et ressources

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