IS43TR16256AL-125KBL vs H5TC4G63CFR-H9A Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IS43TR16256AL-125KBL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и H5TC4G63CFR-H9A от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Активен
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9A H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | SK hynix

H5TC4G63CFR-H9A ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IS43TR16256AL-125KBL H5TC4G63CFR-H9A
Бренд ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $5,60 $6,50
Тип памяти SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Размер памяти 4Gbit (256M x 16) —
Интерфейс Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
Напряжение питания 1.35V (backward compatible to 1.5V) —
Корпус 96-TWBGA (9x13mm) 96-ball TFBGA
Тип монтажа Surface Mount —
Рабочая температура 0°C ~ 95°C —
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
Скорость передачи данных 1600 Mbps [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1866 Mbps)]
Статус RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals 96 96
Memory Density — 4Gb (4294967296 bit)
Организация памяти — 256M x 16
Supply Voltage (VDD) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35V + 0.100 / - 0.067V
Package Shape — RECTANGULAR
Диапазон рабочих температур — [DATA_NEEDED: Operating temperature range]
Без галогенов — Yes
Задержка CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length — 8, 4 (with burst chop)
Differential Clock Inputs — Yes (CK, CK)
Differential Data Strobe — Yes (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
DM (Data Mask) — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену