IS43TR16256AL-125KBLI-TR vs H5TC4G63CFR-H9J Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-125KBLI-TR von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und H5TC4G63CFR-H9J von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter IS43TR16256AL-125KBLI-TR H5TC4G63CFR-H9J
Marke ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,25 $6,00
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) —
Datenbusbreite 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Datenrate 1600 Mbps —
CAS-Latenz 11 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V ± 0.1V, -0.067V 1.35V +0.100/-0.067V
Backward Compatible Voltage 1.5V —
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
Row Active Time (tRAS) 20 ns —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C (TC) —
Gehäuse 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball TFBGA
Montageart Surface Mount —
Burst Length 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
RoHS-Status Compliant —
Density — 4Gb
Speicherorganisation — 256M x 16
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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