IS43TR16256AL-125KBLI-TR vs H5TC4G63CFR-H9J Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IS43TR16256AL-125KBLI-TR от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и H5TC4G63CFR-H9J от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Активен
SK hynix
H5TC4G63CFR-H9J H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J - 4Gb DDR3L SDRAM 96-Ball TFBGA | SK Hynix

H5TC4G63CFR-H9J ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IS43TR16256AL-125KBLI-TR H5TC4G63CFR-H9J
Бренд ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $8,25 $6,00
Тип памяти DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Размер памяти 4Gbit (256M x 16) —
Разрядность шины данных 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Скорость передачи данных 1600 Mbps —
Задержка CAS 11 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V ± 0.1V, -0.067V 1.35V +0.100/-0.067V
Backward Compatible Voltage 1.5V —
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
Row Active Time (tRAS) 20 ns —
Диапазон рабочих температур -40°C to +95°C (TC) —
Корпус 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball TFBGA
Тип монтажа Surface Mount —
Burst Length 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Статус RoHS Compliant —
Density — 4Gb
Организация памяти — 256M x 16
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
Lead-Free — Yes
Без галогенов — Yes
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену