IS43TR16256AL-125KBLI-TR vs H5TC4G63CFR-H9J 비교

다음의 상세 나란히 비교: IS43TR16256AL-125KBLI-TR 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 및 H5TC4G63CFR-H9J 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IS43TR16256AL-125KBLI-TR H5TC4G63CFR-H9J
브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $8.25 $6.00
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 크기 4Gbit (256M x 16) —
데이터 버스 폭 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
데이터 속도 1600 Mbps —
CAS 레이턴시 11 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V ± 0.1V, -0.067V 1.35V +0.100/-0.067V
Backward Compatible Voltage 1.5V —
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
Row Active Time (tRAS) 20 ns —
동작 온도 범위 -40°C to +95°C (TC) —
패키지 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball TFBGA
실장 유형 Surface Mount —
Burst Length 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
RoHS 상태 Compliant —
Density — 4Gb
메모리 구성 — 256M x 16
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
Lead-Free — Yes
할로겐 프리 — Yes
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

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