IS43TR16256AL-125KBLI-TR vs H5TC4G63CFR-H9J Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IS43TR16256AL-125KBLI-TR par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc et H5TC4G63CFR-H9J par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBLI-TR IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBLI-TR ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IS43TR16256AL-125KBLI-TR H5TC4G63CFR-H9J
Marque ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $8,25 $6,00
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4Gbit (256M x 16) —
Largeur du bus de données 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Débit de données 1600 Mbps —
Latence CAS 11 —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V ± 0.1V, -0.067V 1.35V +0.100/-0.067V
Backward Compatible Voltage 1.5V —
Row Cycle Time (tRC) 20 ns —
Row Active Time (tRAS) 20 ns —
Plage de température de fonctionnement -40°C to +95°C (TC) —
Boîtier 96-TWBGA (9x13 mm) 96-ball TFBGA
Type de montage Surface Mount —
Burst Length 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Refresh Modes Auto-refresh, Self-refresh —
Statut RoHS Compliant —
Density — 4Gb
Organisation de la mémoire — 256M x 16
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

Fiches techniques et ressources

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