ISC016N08NM8SCATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISC016N08NM8SCATMA1 von Infineon und IAUCN10S5L280DATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISC016N08NM8SCATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,72 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 8 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current at TA=25°C (ID) 29 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C (ID) 269 A —
Power Dissipation at TC=25°C (PD) 263 W —
Gehäuse PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC, 5x6 mm) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 8 (shield-gate trench) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg @ VGS=10V] —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain Tab Connection Top + bottom exposed (dual-side cooling) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Pin-Anzahl — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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