ISC016N08NM8SCATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC016N08NM8SCATMA1 por Infineon e IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISC016N08NM8SCATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,72 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 8 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current at TA=25°C (ID) 29 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C (ID) 269 A —
Power Dissipation at TC=25°C (PD) 263 W —
Encapsulamento PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC, 5x6 mm) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 8 (shield-gate trench) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg @ VGS=10V] —
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain Tab Connection Top + bottom exposed (dual-side cooling) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Contagem de pinos — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fichas técnicas e recursos

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