ISC016N08NM8SCATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC016N08NM8SCATMA1 par Infineon et IAUCN10S5L280DATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC016N08NM8SCATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,72 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 8 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current at TA=25°C (ID) 29 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C (ID) 269 A —
Power Dissipation at TC=25°C (PD) 263 W —
Boîtier PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC, 5x6 mm) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 8 (shield-gate trench) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg @ VGS=10V] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain Tab Connection Top + bottom exposed (dual-side cooling) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Nombre de broches — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

Fiches techniques et ressources

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