ISC016N08NM8SCATMA1 vs IAUCN10S5L280DATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC016N08NM8SCATMA1 por Infineon y IAUCN10S5L280DATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC016N08NM8SCATMA1 ISC016N08NM8SCATMA1 - 80V OptiMOS 8 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8SCATMA1 - 80V OptiMOS 8 N-Channel MOSFET | Infineon

ISC016N08NM8SCATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC016N08NM8SCATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,72 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 8 OptiMOS 5
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current at TA=25°C (ID) 29 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C (ID) 269 A —
Power Dissipation at TC=25°C (PD) 263 W —
Encapsulado PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC, 5x6 mm) PG-TDSON-8-61 (SSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 8 (shield-gate trench) OptiMOS 5 Trench MOSFET
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55C to +175C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: typical Qg @ VGS=10V] —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Drain Tab Connection Top + bottom exposed (dual-side cooling) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tj — 23 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 38 W
Automotive Qualified — Yes (AEC-Q101, IAU prefix)
Recuento de pines — 8
Packing — Tape & Reel (T&R)

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