ISCH99N04NM7VATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISCH99N04NM7VATMA1 von Infineon und IQEH54NE2LM7UCGATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISCH99N04NM7VATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,48 $1,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current at Ta (I_D) 40 A —
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) 284 A —
Power Dissipation at Ta (P_D) 3 W —
Power Dissipation at Tc (P_D) 150 W —
Gate Threshold Voltage (V_th) Up to 3.2 V —
Gehäuse PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) PG-TTFN-9-3
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Technology OptiMOS 7 Trench Power MOSFET —
Operating Mode Enhancement-mode —
Target Application 12 V to 48 V Motor Drives —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 52 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 406 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical in nC]
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (typical MOSFET range)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datenblätter & Ressourcen

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