ISCH99N04NM7VATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISCH99N04NM7VATMA1 por Infineon e IQEH54NE2LM7UCGATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISCH99N04NM7VATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $1,95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current at Ta (I_D) 40 A —
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) 284 A —
Power Dissipation at Ta (P_D) 3 W —
Power Dissipation at Tc (P_D) 150 W —
Gate Threshold Voltage (V_th) Up to 3.2 V —
Encapsulamento PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) PG-TTFN-9-3
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 7 Trench Power MOSFET —
Operating Mode Enhancement-mode —
Target Application 12 V to 48 V Motor Drives —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 52 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 406 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical in nC]
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (typical MOSFET range)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Fichas técnicas e recursos

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