ISCH99N04NM7VATMA1 vs IQEH54NE2LM7UCGATMA1 比較

詳細な並列比較: ISCH99N04NM7VATMA1 メーカー: Infineon および IQEH54NE2LM7UCGATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISCH99N04NM7VATMA1 ISCH99N04NM7VATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

ISCH99N04NM7VATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

ISCH99N04NM7VATMA1 ✓ 生産中
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IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISCH99N04NM7VATMA1 IQEH54NE2LM7UCGATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $1.95
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current at Ta (I_D) 40 A —
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) 284 A —
Power Dissipation at Ta (P_D) 3 W —
Power Dissipation at Tc (P_D) 150 W —
Gate Threshold Voltage (V_th) Up to 3.2 V —
パッケージ PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) PG-TTFN-9-3
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Technology OptiMOS 7 Trench Power MOSFET —
Operating Mode Enhancement-mode —
Target Application 12 V to 48 V Motor Drives —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 52 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 406 A
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical in nC]
動作温度範囲 — -55C to +150C (typical MOSFET range)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL rating]

データシート&リソース

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