ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von ISZ033N03LF2SATMA1 von Infineon und ISZ019N03L5SATMA1 von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,68 $0,48
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 2 V (typical)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] 44 nC at VGS=10V
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 C to +175 C —
Gehäuse PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 —
RoHS-Status Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
Betriebstemperaturbereich — -55C to +175C (TJ max)
MSL-Level — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern