ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: ISZ033N03LF2SATMA1 제조: Infineon 및 ISZ019N03L5SATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.68 $0.48
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 2 V (typical)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] 44 nC at VGS=10V
동작 접합 온도 -55 C to +175 C —
패키지 PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 —
RoHS 상태 Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
동작 온도 범위 — -55C to +175C (TJ max)
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

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