ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISZ033N03LF2SATMA1 por Infineon y ISZ019N03L5SATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,68 $0,48
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 2 V (typical)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] 44 nC at VGS=10V
Temperatura de unión de funcionamiento -55 C to +175 C —
Encapsulado PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C (TJ max)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización