ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ033N03LF2SATMA1 par Infineon et ISZ019N03L5SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,48
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 2 V (typical)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] 44 nC at VGS=10V
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 —
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (TJ max)
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Fiches techniques et ressources

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