ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ033N03LF2SATMA1 por Infineon e ISZ019N03L5SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ019N03L5SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,68 $0,48
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A 22 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA 2 V (typical)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] 44 nC at VGS=10V
Temperatura de junção de operação -55 C to +175 C —
Encapsulamento PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 (<= 40V)
Polarity / Channel Type — N-Channel
RDS(on) at VGS=10V — 1.9 mΩ (typical, ID=20A)
Gate-Source Voltage Rating (VGS) — ±20 V
Input Capacitance (Ciss) — 2800 pF at VDS=15V
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C (TJ max)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS / REACH — Compliant
Avalanche Rated — Yes
RG-tested — 100%

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação