IXDN609YI vs IXDD609SI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IXDN609YI von IXYS und IXDD609SI von IXYS. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IXDN609YI IXDD609SI
Marke IXYS IXYS
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,15 $2,15
Configuration Low-Side Low-Side
Peak Output Current (Source/Sink) 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Input Logic Compatibility CMOS, non-inverting —
Logic Input Negative Swing Tolerance -5 V —
Propagation Delay 40 ns (typ) 40 ns (typical)
Anstiegszeit < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
Abfallzeit < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
Betriebstemperaturbereich -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (extended)
Gehäuse TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Latchup Immunity Yes (proprietary CMOS input stage) —
Cross-Conduction Protection Yes —
Matched Rise/Fall Times Yes —
MSL-Level Level 3 —
RoHS-Status Compliant —
Anzahl der Ausgänge — 1
Peak Source/Sink Current — 9 A
Logic Input Voltage Range — -5 V to VCC
Input Type — CMOS-compatible, non-inverting with enable
Output Stage — Matched propagation delays, cross-conduction protected
Automotive Qualification — AEC-Q100
Latch-up Immunity — Yes (proprietary input structure)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern