IXDN609YI vs IXDD609SI Comparación

Comparación detallada lado a lado de IXDN609YI por IXYS y IXDD609SI por IXYS. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IXDN609YI IXDD609SI
Marca IXYS IXYS
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,15 $2,15
Configuration Low-Side Low-Side
Peak Output Current (Source/Sink) 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Input Logic Compatibility CMOS, non-inverting —
Logic Input Negative Swing Tolerance -5 V —
Propagation Delay 40 ns (typ) 40 ns (typical)
Tiempo de subida < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
Tiempo de bajada < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (extended)
Encapsulado TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Latchup Immunity Yes (proprietary CMOS input stage) —
Cross-Conduction Protection Yes —
Matched Rise/Fall Times Yes —
Nivel MSL Level 3 —
Estado RoHS Compliant —
Número de salidas — 1
Peak Source/Sink Current — 9 A
Logic Input Voltage Range — -5 V to VCC
Input Type — CMOS-compatible, non-inverting with enable
Output Stage — Matched propagation delays, cross-conduction protected
Automotive Qualification — AEC-Q100
Latch-up Immunity — Yes (proprietary input structure)

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