IXDN609YI vs IXDD609SI Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IXDN609YI par IXYS et IXDD609SI par IXYS. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IXDN609YI IXDD609SI
Marque IXYS IXYS
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,15 $2,15
Configuration Low-Side Low-Side
Peak Output Current (Source/Sink) 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Input Logic Compatibility CMOS, non-inverting —
Logic Input Negative Swing Tolerance -5 V —
Propagation Delay 40 ns (typ) 40 ns (typical)
Temps de montée < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
Temps de descente < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (extended)
Boîtier TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Latchup Immunity Yes (proprietary CMOS input stage) —
Cross-Conduction Protection Yes —
Matched Rise/Fall Times Yes —
Niveau MSL Level 3 —
Statut RoHS Compliant —
Nombre de sorties — 1
Peak Source/Sink Current — 9 A
Logic Input Voltage Range — -5 V to VCC
Input Type — CMOS-compatible, non-inverting with enable
Output Stage — Matched propagation delays, cross-conduction protected
Automotive Qualification — AEC-Q100
Latch-up Immunity — Yes (proprietary input structure)

Fiches techniques et ressources

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