IXDN609YI vs IXDD609SI Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IXDN609YI por IXYS e IXDD609SI por IXYS. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IXDN609YI IXDD609SI
Marca IXYS IXYS
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,15 $2,15
Configuration Low-Side Low-Side
Peak Output Current (Source/Sink) 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Input Logic Compatibility CMOS, non-inverting —
Logic Input Negative Swing Tolerance -5 V —
Propagation Delay 40 ns (typ) 40 ns (typical)
Tempo de subida < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
Tempo de descida < 25 ns <25 ns (with 1 nF load)
Faixa de temperatura de operação -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (extended)
Encapsulamento TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Latchup Immunity Yes (proprietary CMOS input stage) —
Cross-Conduction Protection Yes —
Matched Rise/Fall Times Yes —
Nível MSL Level 3 —
Status RoHS Compliant —
Número de saídas — 1
Peak Source/Sink Current — 9 A
Logic Input Voltage Range — -5 V to VCC
Input Type — CMOS-compatible, non-inverting with enable
Output Stage — Matched propagation delays, cross-conduction protected
Automotive Qualification — AEC-Q100
Latch-up Immunity — Yes (proprietary input structure)

Fichas técnicas e recursos

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